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產地 | 國產 | 加工定制 | 否 |
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記憶式照度計TD-2005LX
自動記錄16000筆數據,含時間紀錄(年月日時分秒)
手動記錄數據,Z多250筆
0.1~100000LUX/0.1~10000FC
LUX(照度)/Ft-cd(呎/燭光)單位選擇切換
精確度: ±4%
感光器光譜反應符合C.I.E.規范
內建四種受光源系數補償
記憶式照度計TD-2005LX 值
可外接電源或使用電池
自動記錄16000筆數據,含時間紀錄(年月日時分秒)
手動記錄數據,Z多250筆
0.1~100000LUX/0.1~10000FC
LUX(照度)/Ft-cd(呎/燭光)單位選擇切換
精確度: ±4%
感光器光譜反應符合C.I.E.規范
內建四種受光源系數補償
一般照度、鈉燈(sodium)、日光燈( fluorescent light)及太陽燈(sunlamp)
讀值鎖定及記錄測量中之Z大/Z小值
可外接電源或使用電池
自動記錄16000筆數據,含時間紀錄(年月日時分秒)
手動記錄數據,Z多250筆
0.1~100000LUX/0.1~10000FC
LUX(照度)/Ft-cd(呎/燭光)單位選擇切換
精確度: ±4%
感光器光譜反應符合C.I.E.規范
內建四種受光源系數補償
一般照度、鈉燈(sodium)、日光燈( fluorescent light)及太陽燈(sunlamp)
讀值鎖定及記錄測量中之Z大/Z小值
可外接電源或使用電池
產品名稱:手持式四探針測試儀 產品型號:M-3 |
手持式四探針測試儀型號:M-3
M-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成:由M-3主機、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測試臺。
儀器所有參數設定、功能轉換全部采用輕觸按鍵輸入;具有零位、滿度自校功能;手動/自動轉換量程可選;測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動場合操作使用!
探頭選配:根據不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭,也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
詳見《四探針探頭特點與選型參考》點擊進入
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。
儀器于半導體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的手持式導電性能的測試。
4) 適配器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電
5) 外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm
凈 重:≤0.3kg
三、基本技術參數
1. 測量范圍、分辨率
量程(Ω-cm/□) | 2.000 | 20.00 | 200.0 | 2.000k | 20.00k |
電阻測試范圍 | 0.010~2.200 | 2.000~22.00 | 20.00~220.0 | 0.200~2.200k | 2.000~50.00k |
電阻率/方阻 | 0.010/0.050~2.200 | 2.000~22.00 | 20.00~220.0 | 0.200~2.200k | 2.000~20.00k/100.0k |
基本誤差 | ±1%FSB±2LSB | ±2%FSB±2LSB |
電 阻: 0.010Ω ~ 50.00kΩ, 分辨率0.001Ω ~ 10 Ω
電 阻 率: 0.010Ω-cm~ 20.00kΩ-cm, 分辨率0.001Ω ~ 10 Ω-cm
方塊電阻: 0.050Ω/□ ~ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001Ω ~ 10 Ω/□
2. 可測材料尺寸
手持方式不限材料尺寸,但加配測試臺則由選配測試臺決定如下:
直 徑:SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm。停產
SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。
長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm。.
測量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等級
產品名稱:缺口制樣機 產品型號: QK20 |
缺口制樣機 型號: QK20
QK20缺口制樣機,是用機械加工方法制備加工塑料、有機玻璃等非金屬材料的簡支梁、懸臂梁沖擊試驗用標準缺口樣條的設備,該機符合ISO179、ISO180、GB/T1043、GB/T1843、GB/T8814D的要求
主要技術參數及規格:
銑缺口刀具長度:50 mm
大銑切厚度:20mm
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