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數據采集儀

簡要描述:數據采集儀
是TR/INV306U家族中的高速系列高精度采集儀,適合較多通道數或者較高采樣速率的振動、噪聲、沖擊等信號采集,Z高采樣頻率1MHz,采用16 位高速AD 芯片、多通道并行、連續大容量設

  • 產品型號:TRINV306U-7660
  • 廠商性質:其他
  • 更新時間:2024-05-08
  • 訪  問  量:488

詳細介紹

產地國產加工定制

數據采集儀  
 者較高采樣速率的振動、噪聲、沖擊等信號采集,Z高采樣頻率1MHz,采用16 位高速AD 芯片、多通道并行、連續大容量設計,性能穩定可靠,可在具備USB2.0 高速接口的計算機上即插即用,具有精度高、失真小、噪聲低、通道*性好、匹配性能好的優點,可與DASP 系列軟件相連,形成具有一百余項先進技術的高性能數據采集和信號處理系統。
主要技術指標
Z高采樣頻率:1.024MHz/實際采樣通道數
并行通道*性:幅值0.05dB,相位0.2度

數據采集儀  

通道間串擾:-100dB
A/D分辨率:16位
輸入量程:±5V
輸入噪聲:<0.5mVrms @±5V量程
輸入阻抗:>1MΩ
輸入接頭:BNC
頻率誤差:<0.01%
幅值誤差:<1%
幅值線性度:<0.025%
總諧波失真:<0.01%
采集深度:連續,僅受硬盤和操作系統限制
外形*:302×235×82mm  @ 32/64通道
       302×235×57mm  @ 16通道
接口:USB2.0,即插即用,支持熱插拔
操作系統:Windows 98/Me/2000/XP
應用軟件:DASP系列全部軟件
質量體系:ISO9001:2000質量體系認證,GB/T19001:2000國內質量體系認證
許 

 

 

 

 

產品名稱:礦用粉塵采樣器
產品型號:CCZ20 

礦用粉塵采樣器型號:CCZ20

產品簡介:

CCZ20型礦用粉塵采樣器時有高性能吸氣泵、自動時間控制電路、流量調節電路、自動反饋恒流電路、欠壓保護報警電路、安全電源等組成。具有無脈動氣流、負壓、負載能力大。自動定時采樣、安全可靠、堅固耐用、使用方便等特點。 可廣泛使用于工礦企業,勞動安全、衛生及環境保護等部門,測定環境空氣中浮游粉塵的濃度。

產品特點及用途 
CCZ20 型礦用粉塵采樣器(以下簡稱采樣器)為短時、可調流量式粉塵采樣器,是一種用于測定環境空氣中浮游粉塵濃度的常規儀器。該采樣器配合微量天平可測量計算出含塵空氣中呼吸性粉塵,非呼吸性粉塵及總粉塵的質量。其分離效能符合“BMRC” 呼吸性粉塵分離效能標準曲線的要求,是一種較為可靠測塵裝置。采樣器具有自動定時采樣,無脈動氣流,負載能力大,安全可靠,堅固耐用,便于攜帶和現場使用等優點。 
該采樣器于工礦企業、勞動安全、勞動衛生及環境保護等部門的粉塵監測,特別于煤礦井下及其它含有爆炸危險性氣體的作業場所使用。 
主要技術指標: 
項目技術指標 
采樣器流量20L/min 
采樣器流量誤差≤5.0%FS 
采樣器流量穩定性≤3.0﹪FS(30min內) 
負載能力≥200Pa 
連續工作時間≥100min 
流量計準確度2.5級 
防爆等級Exibd I 
外形尺寸200x140x80mm 
重量1.8kg

 

 

 

產品名稱:非接觸厚度電阻率測試儀
產品型號:JXNRT1

非接觸厚度電阻率測試儀型號:JXNRT1 
一、測試原理 
1、電阻率測試探頭原理 
電阻率測試模塊是由一對共軸渦流傳感器,以及后續的處理電路組成。將半導體硅片置于兩個探頭的間隙中時,在電磁場的作用下,半導體硅片中會產生渦流效應,通過檢測渦流效應的大小,可以換算出該硅片的電阻率和方塊電阻。本方法是一種非接觸無損測量的方法,不損傷材料表面,可以在大多數場合有效替代四探針法測試電阻率以及方塊電阻。 
2、厚度測試探頭原理 
厚度探頭采用的是一對共軸電容位移傳感器。電容傳感器具有重復性好,測試數值穩定,技術成熟等優點,廣泛用于各種材料厚度的測試。 
  
二、范圍 
本設備為非接觸無損測量設備,測試過程中對硅片表面以及內部不會造成損傷。特別于代替四探針法用于半導體硅片成品分選檢驗。一臺儀器可以同時對厚度和電阻率兩個指標進行測試分選,減少了測試工序和測試時間,提高了測試效率。 
典型的客戶:科研單位、硅片生產廠商、半導體器件生產廠商、光伏企業、導電薄膜生產企業。 
三、儀器構成 
1、測試主機:1 臺 
2、電源線:1 根 
3、串口數據線:1 根 
4、電腦端軟件:1 套 
5、塑料定位柱:2 個 

四、儀器外觀尺寸結構及圖片 
1、整機尺寸:340*260*180mm 
2、機箱顏色:電腦白 


3、儀器結構:本儀器采用厚度探頭和電阻率探頭前后并列安裝的方式。 
五、儀器主要指標 
1、電氣規格 
a. 使用標準三插頭,由 220V 交流電供電,整機功耗小于 15 瓦。 
b. 本儀器測試平臺和外殼均為金屬材料,按照安全規范,請確保電源地線正確連接。 
2、測試范圍 
測試樣品要求:厚度小于 600um 的半導體硅片以及其他類似材料。(為客戶提供特殊定制,厚度大的測試范圍可以擴展到 800um) 
電阻率范圍: L 檔: 0.2-5 Ω·cm 
H 檔: 5-50 Ω·cm 
注: 電阻率不在上述量程范圍內的可以按要求調整, 調整的范圍可以在0.001-100Ω*cm。 
厚度范圍: 100-600 um (定制版可以做到 300-800um) 注:普通版本厚度大于 700um 的硅片無法放入測試區域。

 

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